霍尔效应在半导体中特别显著的原因是：霍尔效应中需要产生一个平衡洛伦兹力作用的横向电压，电阻率越高（载流子浓度越低）的半导体，其中越容易产生出这个电压，所以半导体的霍尔效应要比金属的强。
霍尔效应是载流子在磁场作用（洛伦兹力作用）下而偏离电场方向所产生的一种现象。霍尔电压与电场和磁场成正比，其比例系数称为霍尔系数；霍尔系数与载流子浓度成反比，所以非简并半导体的霍尔效应较显著，而简并半导体和金属的霍尔效应就较弱。
霍尔效应可用来判别多数载流子的类型，霍尔效应也可用来测量迁移率（霍尔系数与电导率的乘积就等于迁移率）。