量产是什么意思啊

50纳米芯片实现量产意味着什么？

前面有回答搞错了，确实有国产50nm存储芯片量产，而不是5nm（真要量产5nm，就真的厉害了，台积电会表示佩服的）。

这个消息（见下图）透露的技术信息，意味着国产存储芯片在低端市场有饭恰了，但要论对三星有啥影响，三星表示：你先看到我的背影再说哈！后面说具体原因。

筛选新闻通稿，得到信息如下：NOR Flash闪存，属于非易失性存储的一种，断电后仍能保存数据；主打物联网市场，128MB的容量满足物联网设备问题不大，毕竟很多数据是不存储在设备上，应用于手机和安防监控，是指做成存储卡；50nm的制造工艺，实话实说，在芯片界属于上古工艺，英特尔和美光的闪存实现50nm量产是在2007年。

也就是说，合肥这家公司和国际先进存储器制造水平相差13年，代数上落后八九代；目前国际比较先进的闪存制造工艺是10nm，三星在2013年就实现量产，现在最先进的闪存制造工艺大概是7nm。

国产闪存芯片和国际先进水平的闪存芯片的差距是，还看不到三星等国际巨头的背影！当然，50nm闪存芯片量产的价值是，将来不用担心我们的5G和物联网在存储器上被卡脖子。

感谢您的阅读！【50nm NOR Flash芯片正式面世，我们何时有7nm EUV光刻机】最新的消息，NOR Flash的市场规模在逐渐提升，而我国合肥恒烁半导体于近日推出第一款面向物联网应用的50nm 128Mb高速低功耗NOR Flash存储芯片，这款芯片尺寸为业界最小，并且拥有很强的成本和性能优势，对于迎接IoT时代有着深刻的意义。

NOR Flash的再次复苏得益于IoT市场，据了解这款恒烁50nm NOR Flash具有芯片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特点。

因此，对于未来布局IoT时代颇有意义。

更为主要的是，这是在DRAM和NAND Flash储存芯片下，探索的又一条路。

但是，我们很担忧的是，到底何时我们能够打破光刻机的束缚呢？我们知道中芯虽然获得了一台荷兰ASML的7nm工艺的光刻机，可是它并非是EUV光刻机，而在我国目前在售的光刻机是上海微电子的90nm光刻机，随着这个设备主要用于8寸线以及12寸线的大规模工业生产，可是也不得不让我们担心，到底什么时候我们有自己不输于荷兰的光刻机。

这里我们要和大家聊的是一个重点的内容——光刻机的束缚问题。

我们知道这里有几个问题束缚了我们光刻机发展：1.欧美国家技术的封锁。

在《瓦森纳协议》的技术封锁下，尽管规定成员国自行决定是否发放敏感产品和技术的出口许可证，并在自愿基础上向“安排”其他成员国通报有关信息。

但“安排”实际上完全受美国控制。

所以，我们的技术，或者说像光刻机半导体的关键技术是被禁止出售给我们的。

2.光刻机的复杂程度以及技术难度。

本来光刻机的技术就被垄断，而且数万零件都基本上被国外给封锁。

特别是德国蔡司镜头，美国光源，以及它的股东Intel、台积电、三星等等技术的供给，这成就了ASML，也束缚了我们。

我们需要做的可能就是打破技术的封锁，另辟蹊径。

据说，中科院制造出2纳米芯片，全称为垂直纳米环珊晶体管，如果像中科院等我国的技术研究能够突破这种束缚，我相信一定会有第一的可能。