常用场效应管参数大全 常用场效应管型号及参数表
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1、AO3400概述30V N沟道MOSFETVds 30VId(Vgs=10v情况下) 5.8ARds(ON) (Vgs=10v情况下) Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下) Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下) AO3400参数描述型号:AO3400封装:SOT-23电性参数:5.8A 30V漏源电压(Vds):30v栅源电压 (Vgs):±12v连续漏极电流(Id 25°C):5.8A连续漏极电流(Id 70℃):4.9A功率损耗(PD 25℃):1.4W功率损耗(PD 70℃):0.9W结点和存储温度范围(温度范围):-55~150℃。