深等离子体刻蚀技术(关于深等离子体刻蚀技术简述)
开错季节的玫瑰
精选回答
1、深等离子体刻蚀,也称大深宽比刻蚀(High Aspect Ratio Etching,HARE),一般是选用Si作为刻蚀微结构的加工对象,它有别于VLSI 中的硅刻蚀,因此又称为先进硅刻蚀(Advanced Silicon Etching,ASE) 工艺。
2、它由于采用了感应棚合等离子体(Inductively CupledPlasma.ICP),所以与传统的反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)等刻蚀技术相比,具有更大的各向异性刻蚀速率比和更高的刻蚀速率,且系统结构简单。
3、由于硅材料本身较脆,需要将加工了的硅微结构作为模具,对塑料进行模压加工,再利用塑料微结构进行微电铸后,才能用得到的金属模具进行微结构器件的批量生产。
4、或者直接从硅片上进行微电铸,获得金属微复制模具。
看破红尘 2023-12-24 11:30:26
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