氟硫酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备方法与应用
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1、《氟硫酸铈二阶非线性光学晶体材料及其制备方法与应用》是同济大学于2021年2月19日申请的专利,该专利公布号为CN112981537A,专利公布日为2021年6月18日,发明人是张弛、吴天辉、吴超。
2、 ?
天马行空 2023-12-18 16:43:46
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