三星宣布面向未来移动设备的下一代基于UFS4.0的存储
三星刚刚预览了其用于智能手机、平板电脑等硬件的最新存储解决方案。OEM表示,这些新芯片可以帮助这些设备使用和传输数据的速度是其前代产品的两倍,而功耗却只有一半。这些新的UFS4.0兼容芯片还可以提高这些产品的便携性,更不用说它们与要求更高的用例的兼容性,甚至可能是VR/AR。
目前,寻求提升其新型智能手机或平板电脑的高端吸引力的OEM可能会在内部存储方面宣传它们的UFS3.1速度,这意味着它符合当时通用闪存(UFS)质量和速度的最新JEDEC标准他们的制造。然而,这个流行词现在已经被一个新词UFS4.0所取代,三星已经确认它可以提供满足这些标准的存储。
这家韩国电子巨头确实宣布了具有最新JEDEC批准规格的新UFS芯片。它们包括的带宽可能高达每条内存通道每秒23.2千兆位(Gb/s),或者是UFS3.1下的两倍。
这一速度得益于先进的第7代、176层V-NAND,它将在三星的UFS4.0存储版本中配备内部控制器。OEM吹捧它能够达到4,200兆字节每秒(MB/s)的高级顺序读取速度,更不用说高达2,800MB/s的顺序写入速度了。
这些新的UFS芯片也已经得到支持,比以往任何时候都更加节能,估计顺序读取速度为每毫灯(mA)6MB/s,与前代产品相比节省了46%。
因此,三星声称它们不仅能够提高下一代移动设备的内部存储器性能,而且还被评为5G使用或分发、扩展现实(XR)或下一代智能汽车等实施。
OEM目前预计,这种下一代UFS4.0存储将在2022年第三季度量产,届时它们将被制成非常薄且小(~11x13x1毫米(mm))的单个芯片容量高达1TB(1TB)。